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Microstructure, growth mechanisms and electro-optical properties of heteroepitaxial GaN layers on sapphire(0001) substrates

Erstveröffentlichung
1996
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Wissenschaftlicher Artikel


Authors
Christiansen, S
Albrecht, M
Dorsch, W
Strunk, HP
ZanottiFregonara, C
et al.
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutions
Institut für Optoelektronik
Published in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U136-U152. - Art.-Nr. 19. - ISSN 1092-5783
Keywords
chemical-vapor-deposition; films; donor
Dewey Decimal Group
DDC 620 / Engineering & allied operations

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