Microstructure, growth mechanisms and electro-optical properties of heteroepitaxial GaN layers on sapphire(0001) substrates
Wissenschaftlicher Artikel
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Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikErschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U136-U152. - Art.-Nr. 19. - ISSN 1092-5783