Microstructure, growth mechanisms and electro-optical properties of heteroepitaxial GaN layers on sapphire(0001) substrates

Erstveröffentlichung
1996Authors
Christiansen, S
Albrecht, M
Dorsch, W
Strunk, HP
ZanottiFregonara, C
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U136-U152. - Art.-Nr. 19. - ISSN 1092-5783
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutions
Institut für OptoelektronikSubject headings
[Free subject headings]: chemical-vapor-deposition | films | donor[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations