Optical activation and diffusivity of ion-implanted Zn acceptors in GaN under high-pressure, high-temperature annealing

1998

Suski, T

Jun, J

Leszczynski, M

Teisseyre, H

Strite, S

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

Journal of Applied Physics ; 84 (1998), 2. - S. 1155-1157. - ISSN 0021-8979

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institut für Optoelektronik

[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations