Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

1996

Teisseyre, H

Nowak, G

Leszczynski, M

Grzegory, I

Bockowski, M

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U103-U106. - Art.-Nr. 13. - ISSN 1092-5783

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institut für Optoelektronik

[Free subject headings]: energy-gap
[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations