Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Erstveröffentlichung
1996Authors
Teisseyre, H
Nowak, G
Leszczynski, M
Grzegory, I
Bockowski, M
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U103-U106. - Art.-Nr. 13. - ISSN 1092-5783
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutions
Institut für OptoelektronikSubject headings
[Free subject headings]: energy-gap[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations