Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy
Wissenschaftlicher Artikel
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Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikErschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U103-U106Art.-Nr. 13. - ISSN 1092-5783