Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Erstveröffentlichung

1996

Authors

Teisseyre, H

Nowak, G

Leszczynski, M

Grzegory, I

Bockowski, M

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

Published in

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U103-U106. - Art.-Nr. 13. - ISSN 1092-5783

Faculties

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutions

Institut für Optoelektronik

Fachliche Einordnung

[Freie Tags]: energy-gap
DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata

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