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GaN homoepitaxy for device applications

Erstveröffentlichung
1999
Metadata only
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Wissenschaftlicher Artikel

Autoren
Kamp, M
Kirchner, C
Schwegler, V
Pelzmann, A
Ebeling, Karl Joachim
et al.
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutionen
Institut für Optoelektronik
Erschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 4 (1999), 1. - S. art. no.-G10.2. - ISSN 1092-5783
Schlagwörter
light-emitting-diodes; growth
DDC-Sachgruppe
DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata
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