GaN homoepitaxy for device applications
Wissenschaftlicher Artikel
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Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikErschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 4 (1999), 1. - S. art. no.-G10.2. - ISSN 1092-5783