GaN homoepitaxy for device applications
Wissenschaftlicher Artikel
Autoren
Kamp, M
Kirchner, C
Schwegler, V
Pelzmann, A
Ebeling, Karl Joachim
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikErschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 4 (1999), 1. - S. art. no.-G10.2. - ISSN 1092-5783