Fundamentals, material properties and device performances in GaN MBE using on-surface cracking of ammonia

Erstveröffentlichung

1997

Authors

Kamp, M

Mayer, M

Pelzmann, A

Ebeling, Karl Joachim

Wissenschaftlicher Artikel

Published in

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 2 (1997), 23-26. - Art.-Nr. 26. - ISSN 1092-5783

Faculties

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutions

Institut für Optoelektronik

Subject headings

[Free subject headings]: growth | blue
[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations

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Metadata

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