PLANAR BE-DOPED WITH HIGH WALLPLUG EFFICIENCIES

Erstveröffentlichung

1995

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Wissenschaftlicher Artikel

Autoren

Zeeb, E

Reiner, G

Ries, M

Ebeling, Karl Joachim

Fakultäten

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutionen

Institut für Optoelektronik

Erschienen in

Electronics Letters ; 31 (1995), 14. - S. 1160-1161. - ISSN 0013-5194

Link zur Veröffentlichung

https://dx.doi.org/10.1049/el:19950768

Schlagwörter

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH; ION IMPLANTATION; VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS; voltage

DDC-Sachgruppe

DDC 620 / Engineering & allied operations

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