Dry etching of GaN substrates for high-quality homoepitaxy

Erstveröffentlichung
1999Authors
Schauler, M
Eberhard, F
Kirchner, C
Schwegler, V
Pelzmann, A
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
Applied Physics Letters ; 74 (1999), 8. - S. 1123-1125. - ISSN 0003-6951