Dry etching of GaN substrates for high-quality homoepitaxy
Wissenschaftlicher Artikel
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Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikErschienen in
Applied Physics Letters ; 74 (1999), 8. - S. 1123-1125. - ISSN 0003-6951