Improved optical activation of ion-implanted Zn acceptors in GaN by annealing under N-2 overpressure

Erstveröffentlichung
1997Authors
Pelzmann, A
Strite, S
Dommann, A
Kirchner, C
Kamp, M
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 2 (1997), 1-5. - S. art. no.-4. - ISSN 1092-5783
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutions
Institut für OptoelektronikSubject headings
[Free subject headings]: dopants[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations