Improved optical activation of ion-implanted Zn acceptors in GaN by annealing under N-2 overpressure

Erstveröffentlichung

1997

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Wissenschaftlicher Artikel

Autoren

Pelzmann, A

Strite, S

Dommann, A

Kirchner, C

Kamp, M

et al.

Fakultäten

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutionen

Institut für Optoelektronik

Erschienen in

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 2 (1997), 1-5. - S. art. no.-4. - ISSN 1092-5783

Schlagwörter

dopants

DDC-Sachgruppe

DDC 620 / Engineering & allied operations

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