Improved optical activation of ion-implanted Zn acceptors in GaN by annealing under N-2 overpressure

1997

Pelzmann, A

Strite, S

Dommann, A

Kirchner, C

Kamp, M

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 2 (1997), 1-5. - S. art. no.-4. - ISSN 1092-5783

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institut für Optoelektronik

[Free subject headings]: dopants
[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations