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Determination of the dislocation densities in GaN on c-oriented sapphire

Erstveröffentlichung
1996
Autoren
Pelzmann, A
Mayer, M
Kirchner, C
Sowada, D
Rotter, T
et al.
Wissenschaftlicher Artikel


Erschienen in
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research ; 1 (1996), 1-46. - S. U313-U320. - Art.-Nr. 40. - ISSN 1092-5783
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutionen
Institut für Optoelektronik
Schlagwörter
[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata
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