Device performance of ultra-violet emitting diodes grown by MBE

Erstveröffentlichung
1998Autoren
Mayer, M
Pelzmann, A
Kirchner, C
Schauler, M
Eberhard, F
Beitrag zu einer Konferenz
Erschienen in
Journal of Crystal Growth ; 189 (1998). - S. 782-785. - ISSN 0022-0248
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00293-0Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikKonferenz
2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97), 1997-10-27 - 1997-10-31, Tokushima City
Schlagwörter
[Freie Schlagwörter]: LED | WED | MBE | NH3 | MCp2Mg | GaN[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations