Device performance of ultra-violet emitting diodes grown by MBE

1998

Mayer, M

Pelzmann, A

Kirchner, C

Schauler, M

Eberhard, F

et al.

Beitrag zu einer Konferenz

Journal of Crystal Growth ; 189 (1998). - S. 782-785. - ISSN 0022-0248

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institut für Optoelektronik

2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97), 1997-10-27 - 1997-10-31, Tokushima City

[Freie Schlagwörter]: LED | WED | MBE | NH3 | MCp2Mg | GaN
[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations