Device performance of ultra-violet emitting diodes grown by MBE

Erstveröffentlichung
1998
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Beitrag zu einer Konferenz

Autoren
Mayer, M
Pelzmann, A
Kirchner, C
Schauler, M
Eberhard, F
et al.
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutionen
Institut für Optoelektronik
Erschienen in
Journal of Crystal Growth ; 189 (1998). - S. 782-785. - ISSN 0022-0248
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00293-0
Konferenz
2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97), 1997-10-27 - 1997-10-31, Tokushima City
Schlagwörter
LED; WED; MBE; NH3; MCp2Mg; GaN
DDC-Sachgruppe
DDC 620 / Engineering & allied operations
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