DC and RF characteristics of AlN/GaN doped channel heterostructure field effect transister
Erstveröffentlichung
1999
Beitrag zu einer Konferenz
Published in
Physica Status Solidi a Applied Research ; 176 (1999), 1. - S. 179-181. - ISSN 0031-8965
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<179::AID-PSSA179>3.0.CO;2-2Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutions
Institut für Elektronische Bauelemente und SchaltungenInstitut für Optoelektronik
Conference
3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 99), 1999-07-05 - 1999-07-09, Montpellier