Acceptor-related luminescence at 3.314 eV in zinc oxide confined to crystallographic line defects
Erstveröffentlichung
2007
Beitrag zu einer Konferenz
Erschienen in
Physica B: Condensed Matter ; 401 - 402 (2007). - S. 362-365. - ISSN 0921-4526
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.188Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für HalbleiterphysikZE Elektronenmikroskopie
Institut für Mikro- und Nanomaterialien
Konferenz
24th International Conference on Defects in Semiconductors, 2007-07-22 - 2007-07-27, Albuquerque, NM
Schlagwörter
[Freie Schlagwörter]: ZnO | acceptors | stacking faults | cathodoluminescence | MOLECULAR-BEAM EPITAXY | PHOTOLUMINESCENCE | FILMS[DDC Sachgruppe]: DDC 530 / Physics