Stacking fault related 3.31-eV luminescence at 130-meV acceptors in zinc oxide
Erstveröffentlichung
2008
Wissenschaftlicher Artikel
Erschienen in
Physical Review B ; 77 (2008), 12. - Art.-Nr. 125215. - ISSN 2469-9950. - eISSN 2469-9969
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.77.125215Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für HalbleiterphysikInstitut für Mikro- und Nanomaterialien
Schlagwörter
[Freie Schlagwörter]: P-TYPE ZNO | OPTICAL-PROPERTIES | THIN-FILMS | GROWTH | EXCITON | TEMPERATURE | SAPPHIRE | SI | PHOTOLUMINESCENCE | RECOMBINATION[DDC Sachgruppe]: DDC 530 / Physics | DDC 620 / Engineering & allied operations