Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGET

Erstveröffentlichung
2009
Autoren
Kuzmik, Jan
Bychikhin, Sergey
Pichonat, Emmanuelle
Gaquiere, Christophe
Morvan, Erwan
et al.
Wissenschaftlicher Artikel


Erschienen in
International Journal of Microwave and Wireless Technologies ; 1 (2009), 2, SI. - S. 153-160. - ISSN 1759-0787. - eISSN 1759-0795
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1017/S1759078709990444
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutionen
Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen
Schlagwörter
[Freie Schlagwörter]: Self-heating | Temperature measurements | High-electron-mobility transistors | AlGaN/GaN
[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations
Metadata
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