InAlN/GaN MOSHEMT With Self-Aligned Thermally Generated Oxide Recess

Erstveröffentlichung
2009
Authors
Alomari, Mohammed
Medjdoub, Farid
Carlin, Jean-Francois
Feltin, Eric
Grandjean, Nicolas
et al.
Wissenschaftlicher Artikel


Published in
IEEE Electron Device Letters ; 30 (2009), 11. - S. 1131-1133. - ISSN 0741-3106. - eISSN 1558-0563
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1109/LED.2009.2031659
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutions
Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen
ZE Elektronenmikroskopie
Subject headings
[Free subject headings]: InAlN/GaN | MOSHEMT | thermal oxidation | PERFORMANCE | HEMTS
[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations
Metadata
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