Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung

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Veröffentlichung
2006-10-27
Authors
Neuburger, Martin
Dissertation


Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Abstract
This document, written in German, talks about the theory of group III-Nitrides and combines the polar nature of the material with the FET performance. Beside theory, real HEMT structures are realized, including InAlN based FETs.
Date created
2006
Subject headings
[GND]: Feldeffekttransistor | Galliumnitrid | HEMT
[LCSH]: Field-effect transistors | Gallium nitride
[Free subject headings]: InAIN
[DDC subject group]: DDC 620 / Engineering & allied operations
License
Standard (Fassung vom 03.05.2003)
https://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v1
Metadata
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DOI & citation

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.18725/OPARU-364

Neuburger, Martin (2006): Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung. Open Access Repositorium der Universität Ulm und Technischen Hochschule Ulm. Dissertation. http://dx.doi.org/10.18725/OPARU-364
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