Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung

Neuburger, Martin

Zitiere als: Neuburger, Martin (2006): Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung. Open Access Repositorium der Universität Ulm. Dissertation. http://dx.doi.org/10.18725/OPARU-364

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vts_5722_7591.pdf (2.997Mb)
128 Seiten

DOI

10.18725/OPARU-364

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Z: J-H 11.283 ; W: W-H 9.396

Metadata

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Autor(en)

Neuburger, Martin

Fakultät

Fakultät für Ingenieurwissenschaften

Ressourcen- / Medientyp

Dissertation, Text

Datum der Freischaltung

2006-10-27

Zusammenfassung

This document, written in German, talks about the theory of group III-Nitrides and combines the polar nature of the material with the FET performance. Beside theory, real HEMT structures are realized, including InAlN based FETs.

Lizenz

Standard (Fassung vom 03.05.2003)
https://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v1

LCSH

Field-effect transistors
Gallium nitride

GND

Feldeffekttransistor
Galliumnitrid
HEMT

Freie Schlagwörter

InAIN

DDC-Sachgruppe

DDC 620 / Engineering & allied operations