• English
    • Deutsch
Dokumentanzeige 
  •   OPARU Startseite
  • Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
  • Publikationen
  • Dokumentanzeige
  •   OPARU Startseite
  • Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
  • Publikationen
  • Dokumentanzeige
  • Deutsch 
    • English
    • Deutsch
  • Einloggen
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung

Thumbnail
Download
vts_5722_7591.pdf (2.997Mb)
128 Seiten
 
Veröffentlichung
2006-10-27
DOI
10.18725/OPARU-364

Dissertation

Autoren
Neuburger, Martin
Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lizenz
Standard (Fassung vom 03.05.2003)
https://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v1
Zusammenfassung
This document, written in German, talks about the theory of group III-Nitrides and combines the polar nature of the material with the FET performance. Beside theory, real HEMT structures are realized, including InAlN based FETs.
Erstellung / Fertigstellung
2006
Normierte Schlagwörter
Feldeffekttransistor [GND]
Galliumnitrid [GND]
HEMT [GND]
Field-effect transistors [LCSH]
Gallium nitride [LCSH]
Schlagwörter
InAIN
DDC-Sachgruppe
DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata
Zur Langanzeige

Zitiervorlage

Neuburger, Martin (2006): Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung. Open Access Repositorium der Universität Ulm. Dissertation. http://dx.doi.org/10.18725/OPARU-364

Weitere Zitierstile



Informationen zu OPARU | Kontakt | Feedback
Impressum | Datenschutzerklärung
 

 

Erweiterte Suche

Stöbern

Gesamter BestandBereiche & SammlungenFakultätenInstitutionenPersonenRessourcentypenUlmer Reihen & ZeitschriftenDDC-SachgruppenFörderinformationenAusgewählte SammlungFakultätenInstitutionenPersonenRessourcentypenUlmer Reihen & ZeitschriftenDDC-SachgruppenFörderinformationen

Mein Benutzerkonto

EinloggenRegistrieren

Statistik

Benutzungsstatistik

Informationen zu OPARU | Kontakt | Feedback
Impressum | Datenschutzerklärung