Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Erstveröffentlichung
2011
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
physica status solidi (b) ; 248 (2011), 3. - S. 549-560. - ISSN 0370-1972. - eISSN 1521-3951
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1002/pssb.201046352Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieFakultät für Naturwissenschaften
Institutions
Institut für OptoelektronikInstitut für Quantenmaterie
ZE Elektronenmikroskopie
Subject headings
[Free subject headings]: InGaN | light-emitting devices | quantum wells | III-V semiconductors | EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH | SELECTIVE-AREA GROWTH | BULK INGAN FILMS | A-PLANE GAN | EMITTING-DIODES | PIEZOELECTRIC FIELDS | QUANTUM EFFICIENCY | GREEN | REDUCTION | NONPOLAR[DDC subject group]: DDC 530 / Physics