Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT

Erstveröffentlichung

2011

Authors

Alomari, M.

Dipalo, M.

Rossi, S.

Diforte-Poisson, M. -A.

Delage, S.

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

Published in

Diamond and Related Materials ; 20 (2011), 4. - S. 604-608. - ISSN 0925-9635. - eISSN 1879-0062

Link to publication

https://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2011.01.006

Faculties

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutions

Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen

Subject headings

[Free subject headings]: GaN HEMT | Nanocrystalline diamond | High temperature growth | InAlN/GaN | FILMS | NUCLEATION | GANHEMTS
[DDC subject group]: DDC 530 / Physics | DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata

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