GaN on sapphire mesa technology

Erstveröffentlichung
2012
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Beitrag zu einer Konferenz


Authors
Herfurth, Patrick
Men, Yakiv
Rösch, Rudolph
Carlin, Jean-Francois
Grandjean, Nicolas
et al.
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institutions
Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen
Institut für Optoelektronik
Published in
physica status solidi (c) ; 9 (2012), 3-4. - S. 945-948. - ISSN 1862-6351
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100405
Conference
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), 2011-07-10 - 2011-07-15, Glasgow
Keywords
InAlN/GaN HEMTs; thin GaN buffer; mesa technology; on-off ratio; buffer scaling
Dewey Decimal Group
DDC 500 / Natural sciences & mathematics
DDC 530 / Physics
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