GaN on sapphire mesa technology
Erstveröffentlichung
2012
Beitrag zu einer Konferenz
Published in
physica status solidi (c) ; 9 (2012), 3-4. - S. 945-948. - ISSN 1862-6351
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100405Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutions
Institut für Elektronische Bauelemente und SchaltungenInstitut für Optoelektronik
Conference
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), 2011-07-10 - 2011-07-15, Glasgow
Subject headings
[Free subject headings]: InAlN/GaN HEMTs | thin GaN buffer | mesa technology | on-off ratio | buffer scaling[DDC subject group]: DDC 500 / Natural sciences & mathematics | DDC 530 / Physics