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AuthorHöck, Georg Josefdc.contributor.author
Date of accession2016-03-14T13:38:37Zdc.date.accessioned
Available in OPARU since2016-03-14T13:38:37Zdc.date.available
Year of creation2004dc.date.created
AbstractDie untersuchten p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistoren bestanden aus einem SiGe-Kanal bzw. einem reinem Ge-Kanal auf einem relaxierten SiGe-Puffer. Es wurden hierbei zwei Konzepte verfolgt: zum einen Ge/SiGe-MODFETs mit Schottky-Gates und zum anderen SiGe-Kanal MOSFETs. Die verwendeten Epitaxieschichten wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) und teilweise auch mittels Low Energy-PECVD hergestellt. Magnetfeldabhängige Hall-Messungen an modulationsdotierten SiGe-Kanal Heterostrukturen ergaben Löcherbeweglichkeiten von bis zu 785 cm^2/Vs (Si0.36Ge0.64-Kanal), 1174 cm^2/Vs (Si0.2Ge0.8-Kanal) und 1876 cm^2/Vs (Ge-Kanal). Die untersuchten MODFETs bestanden aus einem verspannten Ge-Kanal auf einem relaxierten Si0.4Ge0.6 Puffer. Bei einer Gatelänge von 0.1 µm zeigten die Ge-Kanal MODFETs maximale Steilheiten von 190 mS/mm und Grenzfrequenzen von f_T=56 GHz und f_max=135 GHz. Die minimale Rauschzahl lag bei 0.5 dB (bei 2.5 GHz). Bei den p-SiGe-Kanal MOSFETs wurden Strukturen mit Ge-Konzentrationen zwischen 60 % und 83 % im Kanal untersucht. Die minimale Gatelänge lag bei 1 µm. Das Gateoxid wurde mittels Remote Plasma PECVD und konventioneller PECVD hergestellt. Die Transistoren zeigten Drainströme bis zu 440 mA/mm und Steilheiten von 120 mS/mm bei 1 µm Gatelänge und 5 nm Oxiddicke. Die effektive Löcherbeweglichkeit im SiGe-Kanal der MOSFETs wurde mittels Leitfähigkeitsmessungen und C-V-Messungen in Abhängigkeit vom vertikalen elektrischen Feld bestimmt. Dabei ergaben sich Maximalwerte von 420 cm^2/Vs bei einem Si0.35Ge0.65 Kanal und 760 cm^2/Vs bei einem Si0.17Ge0.83 Kanal. Diese Beweglichkeitswerte sind deutlich höher als bei einem konventionellen Si p-MOSFET (200 cm^2/Vs) und erreichen sogar die Werte eines konventionellen Si n-MOSFETs. Bei der Untersuchung der Temperaturstabilität der verspannten SiGe-Kanäle zeigte sich, dass bei Prozesstemperaturen oberhalb von 750° C, abhängig vom Ge-Gehalt, bereits eine merkliche Ausdiffusion von Ge aus dem SiGe-Kanal stattfindet.dc.description.abstract
Languagededc.language.iso
PublisherUniversität Ulmdc.publisher
LicenseStandard (Fassung vom 03.05.2003)dc.rights
Link to license texthttps://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v1dc.rights.uri
KeywordField-effect transistordc.subject
KeywordHeterostructuredc.subject
KeywordHole mobilitydc.subject
KeywordLöcherbeweglichkeitdc.subject
KeywordSiGedc.subject
LCSHMetal oxide semiconductor field-effect transistorsdc.subject.lcsh
LCSHModulation-doped field-effect transistorsdc.subject.lcsh
LCSHSilicondc.subject.lcsh
TitleSilizium Germanium p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistorendc.title
Resource typeDissertationdc.type
DOIhttp://dx.doi.org/10.18725/OPARU-317dc.identifier.doi
URNhttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:289-vts-49023dc.identifier.urn
GNDFeldeffekttransistordc.subject.gnd
GNDGermaniumdc.subject.gnd
GNDHEMTdc.subject.gnd
GNDHeterostrukturdc.subject.gnd
GNDMOS-FETdc.subject.gnd
GNDSiliciumdc.subject.gnd
FacultyFakultät für Ingenieurwissenschaftenuulm.affiliationGeneral
Date of activation2004-12-10T10:35:00Zuulm.freischaltungVTS
Peer reviewneinuulm.peerReview
Shelfmark print versionZ: J-H 10.588 ; W: W-H 7.948uulm.shelfmark
DCMI TypeTextuulm.typeDCMI
VTS-ID4902uulm.vtsID
CategoryPublikationenuulm.category
University Bibliographyjauulm.unibibliographie


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