Crystal quality improvement of semipolar (20-21) GaN on patterned sapphire substrates by in-situ deposited SiN mask

Meisch, Tobias; Alimoradi-Jazi, Maryam; Neuschl, Benjamin; Klein, Martin; Tischer, Ingo; Thonke, Klaus; Scholz, Ferdinand

Erstveröffentlichung

2014

Autoren

Meisch, Tobias

Alimoradi-Jazi, Maryam

Neuschl, Benjamin

Klein, Martin

Tischer, Ingo

et al.

Beitrag zu einer Konferenz

Erschienen in

Gallium nitride materials and devices IX / Chyi, Jen-Inn (Hrsg.). - Bellingham, WA : Society of Photo-optical Instrumentation Engineers, 2014. - (Proceedings of SPIE ; 8986). - Art.-Nr. UNSP 89860A. - ISBN 978-0-8194-9899-1. - ISSN 0277-786X. - eISSN 1996-756X

Link zur Veröffentlichung

https://dx.doi.org/10.1117/12.2037238

Fakultäten

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Fakultät für Naturwissenschaften

Institutionen

Institut für Optoelektronik
Institut für Quantenmaterie

Konferenz

Conference on Gallium Nitride Materials and Devices IX, 2014-02-03 - 2014-02-06, San Francisco, CA

Schlagwörter

[Freie Schlagwörter]: (20-21) | semipolar | GaN | PSS
[DDC Sachgruppe]: DDC 530 / Physics | DDC 620 / Engineering & allied operations

Metadata

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