Crystal quality improvement of semipolar (20-21) GaN on patterned sapphire substrates by in-situ deposited SiN mask
Beitrag zu einer Konferenz
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieFakultät für Naturwissenschaften
Institutions
Institut für OptoelektronikInstitut für Quantenmaterie
Published in
Gallium nitride materials and devices IX / Chyi, Jen-Inn (Hrsg.). - Bellingham, WA : Society of Photo-optical Instrumentation Engineers, 2014. - (Proceedings of SPIE ; 8986). - Art.-Nr. UNSP 89860A. - ISBN 978-0-8194-9899-1. - ISSN 0277-786X. - eISSN 1996-756X
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1117/12.2037238Conference
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices IX, 2014-02-03 - 2014-02-06, San Francisco, CA
Funding information
Deutsche Forschungsgemeinschaft within the transregional research group PolarCon
Keywords
(20-21); semipolar; GaN; PSSDewey Decimal Group
DDC 530 / PhysicsDDC 620 / Engineering & allied operations