Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN
Erstveröffentlichung
2011
Wissenschaftlicher Artikel
Erschienen in
Physica status solidi - A, Applications and materials science ; 208 (2011), 7. - S. 1520-1522. - ISSN 1862-6300. - eISSN 1862-6319
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201000947Fakultäten
Fakultät für NaturwissenschaftenInstitutionen
Institut für QuantenmaterieSchlagwörter
[Freie Schlagwörter]: aluminum nitride | donors | excitons | photoluminescence | SEEDED GROWTH | SI[DDC Sachgruppe]: DDC 530 / Physics | DDC 620 / Engineering & allied operations