207-257 GHz Integrated Sensing Readout System with Transducer in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology

Wang, D.; Yun, J.; Eissa, M. H.; Kucharski, M.; Schmalz, K.; Malignaggi, A.; Wang, Y.; Borngraeber, J.; Liang, Y.; Ng, H. J.; Le, Q. H.; Huynh, D. K.; Kaempfe, T.; Seidel, K.; Kissinger, Dietmar

Erstveröffentlichung

2019

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Beitrag zu einer Konferenz

Authors

Wang, D.

Yun, J.

Eissa, M. H.

Kucharski, M.

Schmalz, K.

et al.

Faculties

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie

Institutions

Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen

Published in

2019 IEEE Mtt S International Microwave Symposium Digest. - New York, NY : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019. - (IEEE MTT-S International Microwave Symposium). - S. 496-499. - ISBN 978-1-7281-1309-8. - ISSN 0149-645X. - eISSN 2576-7216

Conference

IEEE-MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019-06-02 - 2019-06-07, Boston, MA

Keywords

THz-LoC; BiCMOS; transducer; resonator; readout circuit; dielectric sensor; SiGe

Dewey Decimal Group

DDC 620 / Engineering & allied operations

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