Internal quantum efficiency and carrier injection efficiency of c-plane, 10(1)over-bar1 and 11(2)over-bar2 InGaN/GaN-based-light-emitting diodes

Erstveröffentlichung
2016Autoren
Wang, Junjun
Meisch, Tobias
Heinz, Dominik
Zeller, Raphael
Scholz, Ferdinand
Wissenschaftlicher Artikel
Erschienen in
Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics ; 253 (2016), 1. - S. 174-179. - ISSN 0370-1972. - eISSN 1521-3951