Growth and coalescence studies of (11(2)over-bar2) oriented GaN on pre-structured sapphire substrates using marker layers
Erstveröffentlichung
2016
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
physica status solidi (b) ; 253 (2016), 1. - S. 46-53. - ISSN 0370-1972. - eISSN 1521-3951
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552266Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieFakultät für Naturwissenschaften
Institutions
Institut für OptoelektronikInstitut für Quantenmaterie