Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping
Wissenschaftlicher Artikel
Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieFakultät für Naturwissenschaften
Institutions
Institut für QuantenmaterieInstitut für Optoelektronik
Published in
Journal of Applied Physics ; 119 (2016), 18. - Art.-Nr. 185703. - ISSN 0021-8979. - eISSN 1089-7550