Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping
Erstveröffentlichung
2016
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
Journal of Applied Physics ; 119 (2016), 18. - Art.-Nr. 185703. - ISSN 0021-8979. - eISSN 1089-7550
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1063/1.4949512Faculties
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieFakultät für Naturwissenschaften
Institutions
Institut für QuantenmaterieInstitut für Optoelektronik