Influence of trench period and depth on MOVPE grown (11(2)over-bar2) GaN on patterned r-plane sapphire substrates.
Erstveröffentlichung
2016
Wissenschaftlicher Artikel
Published in
Journal of Crystal Growth ; 440 (2016). - S. 69-75. - ISSN 0022-0248. - eISSN 1873-5002
Link to publication
https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.01.014Faculties
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