Efficiency studies on semipolar GaInN-GaN quantum well structures
Erstveröffentlichung
2016
Wissenschaftlicher Artikel
Erschienen in
physica status solidi (a) ; 213 (2016), 12. - S. 3117-3121. - ISSN 1862-6300. - eISSN 1862-6319
Link zur Veröffentlichung
https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201600340Fakultäten
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und PsychologieInstitutionen
Institut für OptoelektronikEU-Projekt uulm
ALIGHT / AlGaInN materials on semi-polar templates for yellow emission in solid state lighting applications / EC / FP7 / 280587
Schlagwörter
[Freie Schlagwörter]: GaInN | semipolar surfaces | quantum efficiency | light-emitting diodes | GaN | quantum wells | light-emitting-diodes[DDC Sachgruppe]: DDC 620 / Engineering & allied operations