Formation of I-2-type basal-plane stacking faults in In0.25Ga0.75N multiple quantum wells grown on a (10<(1)overbar>1) semipolar GaN template

Erstveröffentlichung

2017

Authors

Li, Yueliang

Qi, Haoyuan

Meisch, Tobias

Hocker, Matthias

Thonke, Klaus

et al.

Wissenschaftlicher Artikel

Published in

Applied Physics Letters ; 110 (2017), 2. - Art.-Nr. 022105. - ISSN 0003-6951. - eISSN 1077-3118

Link to publication

https://dx.doi.org/10.1063/1.4974050

Faculties

Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Fakultät für Naturwissenschaften

Institutions

ZE Elektronenmikroskopie
Institut für Optoelektronik
Institut für Quantenmaterie

Subject headings

[Free subject headings]: gallium nitride | movpe
[DDC subject group]: DDC 530 / Physics

---

Metadata

Show full item record