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AuthorSteinbach, Dierkdc.contributor.author
Date of accession2016-03-14T11:54:25Zdc.date.accessioned
Available in OPARU since2016-03-14T11:54:25Zdc.date.available
Year of creation2003dc.date.created
AbstractDas Ziel dieser Arbeit ist die Klärung, wie die elektrischen Transporteigenschaften hochorientierter MWCVD-Diamantfilme im Filmvolumen und an Kontakten von deren Mikrostruktur und Textur beeinflusst werden. Hierzu werden die Mikrostruktur, die Textur und die elektrischen Eigenschaften solcher Diamantfilme detailliert untersucht und miteinander korreliert. Für diese Korrelation ist die Kenntnis der Texturbildung und der Wachstumssektoren beim Wachstum von MWCVD-Diamantfilmen fundamental. Im Kapitel 3 stellen wir deshalb wichtige Grundlagen des Kristallit- und Filmwachstums von Diamant dar. Darauf aufbauend untersuchen wir im Kapitel 4 strukturelle Inhomogenitäten, welche die elektrischen Eigenschaften beeinträchtigen. Wir analysieren die Abhängigkeit des Stickstoffgehaltes und des sp2-Fremdphasen-Anteiles von der Filmtextur und Morphologie. Speziell untersuchen wir, inwieweit mit höchstqualitativen Korngrenzen, welche in hochorientierten Diamantfilmen besonders zwischen beim Wachstum vereinigten Kristalliten auftreten, entsprechende Inhomogenitäten vermieden werden können. Der Einfluss dieser und weiterer Inhomogenitäten auf den elektrischen Transport wird unter Trennung zwischen Kristalliten und Korngrenzen im Kapitel 5 untersucht, welches der elektrischen Charakterisierung Bor-dotierter Filme dient. Hierbei betrachten wir einerseits die elektrischen Eigenschaften des Filmvolumens und andererseits die elektrische Charakteristik von Kontakten auf solchen Filmen. Dabei untersuchen wir im Kapitel 5.1 zunächst den Stromfluss durch mehrere Kristallite, bevor wir in den Kapiteln 5.2 bis 5.4 speziell den Einfluss einzelner Kristallite und Korngrenzen analysieren. Der Abschnitt 5.3.3 dient insbesondere der detaillierten Untersuchung der elektrischen Transportmechanismen an solchen einzelnen Korngrenzen. Die für die entsprechenden Analysen im Kapitel 5 notwendigen längeren Rechnungen und die Fehlereinflüsse bei unseren elektrischen Messungen fassen wir in den Anhängen zusammen.dc.description.abstract
Languagededc.language.iso
PublisherUniversität Ulmdc.publisher
LicenseStandard (Fassung vom 03.05.2003)dc.rights
Link to license texthttps://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v1dc.rights.uri
LCSHDiamond thin films. Electric propertiesdc.subject.lcsh
LCSHMicrostructuredc.subject.lcsh
TitleKorrelation der Mikrostruktur hochorientierter MWCVD-Diamantfilme mit dem elektrischen Transportdc.title
Resource typeDissertationdc.type
DOIhttp://dx.doi.org/10.18725/OPARU-91dc.identifier.doi
URNhttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:289-vts-34410dc.identifier.urn
GNDBordc.subject.gnd
GNDDotierungdc.subject.gnd
GNDElektrischer Transportdc.subject.gnd
GNDKathodolumineszenzdc.subject.gnd
GNDKorngrenzedc.subject.gnd
GNDRaman-Spektroskopiedc.subject.gnd
FacultyFakultät für Naturwissenschaftenuulm.affiliationGeneral
Date of activation2003-12-05T14:35:22Zuulm.freischaltungVTS
Peer reviewneinuulm.peerReview
Shelfmark print versionZ: J-H 10.252 ; W: W-H 7.437uulm.shelfmark
DCMI TypeTextuulm.typeDCMI
VTS-ID3441uulm.vtsID
CategoryPublikationenuulm.category


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