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Beteiligte PersonHosch, Michaeldc.contributor
Beteiligte PersonBehtash, Rezadc.contributor
Beteiligte PersonThorpe, James R.dc.contributor
Beteiligte PersonHeld, Stefaniedc.contributor
Beteiligte PersonBlanck, Hervédc.contributor
Beteiligte PersonRiepe, Klaus J.dc.contributor
Beteiligte PersonSchumacher, Hermanndc.contributor
Aufnahmedatum2016-03-14T15:19:41Zdc.date.accessioned
In OPARU verfügbar seit2016-03-14T15:19:41Zdc.date.available
Jahr der Erstellung2008dc.date.created
ZusammenfassungAn analysis of the impact of device layout and technology on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HFETs is presented. For this analysis AlGaN/GaN HFETs fabricated on SiC substrate were extensively characterized by DC, small signal RF measurements and RF power measurements. In addition to the characterization results, we present a simulation study on how to improve the performance based on pure device layout variations and we will show which parameters are dominating. Furthermore, we will analyse the electric field distribution in the device and show that a slanted gate profile is beneficial, while the electric field in the gate-drain region can be optimized by the incorporation of a source-terminated field plate (STFP).dc.description.abstract
Spracheendc.language.iso
Verbreitende StelleUniversität Ulmdc.publisher
ID Originalpublikationhttp://dx.doi.org/10.1109/APMC.2008.4958635dc.relation.uri
LizenzStandard (Fassung vom 01.10.2008)dc.rights
Link zum Lizenztexthttps://oparu.uni-ulm.de/xmlui/license_v2dc.rights.uri
SchlagwortGaN HEMTdc.subject
SchlagwortLayout aspectsdc.subject
SchlagwortTechnology aspectsdc.subject
DDC-SachgruppeDDC 620 / Engineering & allied operationsdc.subject.ddc
LCSHModulation-doped field-effect transistorsdc.subject.lcsh
TitelThe impact of layout and technology on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HFETsdc.title
RessourcentypKonferenzveröffentlichungdc.type
DOIhttp://dx.doi.org/10.18725/OPARU-1020dc.identifier.doi
PPN301829497dc.identifier.ppn
URNhttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:289-vts-66537dc.identifier.urn
GNDHEMTdc.subject.gnd
FakultätFakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatikuulm.affiliationGeneral
Quelle OriginalpublikationProc. 20th Asia Pacific Microwave Conference (APMC 2008), Hong Kong, P.R. China, December 16 - 19, 2008uulm.citationOrigPub
Datum der Freischaltung2009-01-09T23:10:05Zuulm.freischaltungVTS
Peer-Reviewjauulm.peerReview
DCMI MedientypTextuulm.typeDCMI
VTS-ID6653uulm.vtsID
KategoriePublikationenuulm.category


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