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    • Dry etching of GaN substrates for high-quality homoepitaxy 

      Wissenschaftlicher Artikel
      Schauler, M; Eberhard, F; Kirchner, C; Schwegler, V; Pelzmann, A; Kamp, M; Ebeling, Karl Joachim; Bertram, F; Riemann, T; Christen, J; Prystawko, P; Leszczynski, M; Grzegory, I; Porowski, S (Universität Ulm, 1999)