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Microstructure, growth mechanisms and electro-optical properties of heteroepitaxial GaN layers on sapphire(0001) substrates 
Christiansen, S et al. (1996)
Wissenschaftlicher Artikel

Operation range of VCSEL-interconnect links with `'below-threshold''-biasing 
Zei, L et al. (2000)
Wissenschaftlicher Artikel

Spatial distribution of the intensity noise of a vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser 
Bramati, A et al. (1999)
Wissenschaftlicher Artikel

Spatial structure of broad-area vertical-cavity regenerative amplifiers 
Ackemann, T et al. (2000)
Wissenschaftlicher Artikel

POLARIZATION SELECTIVITY IN ORDERED GAINP2 VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS 
Meney, AT; Oreilly, EP; Ebeling, Karl Joachim (1995)
Wissenschaftlicher Artikel

TUNABLE EXTREMELY LOW-THRESHOLD VERTICAL-CAVITY LASER-DIODES 
Wipiejewski, T et al. (1993)
Wissenschaftlicher Artikel

Single-mode, single-polarization VCSELs via elliptical surface etching: Experiments and theory 
Debernardi, P et al. (2003)
Wissenschaftlicher Artikel

Efficient vertical cavity surface emitting laser diodes for high bit rate optical data transmission 
Ebeling, Karl Joachim et al. (1996)
Wissenschaftlicher Artikel

Noise characteristics of 860 nm single-mode vertical cavity surface emitting lasers 
Wiedenmann, D et al. (1998)
Wissenschaftlicher Artikel

Optical activation and diffusivity of ion-implanted Zn acceptors in GaN under high-pressure, high-temperature annealing 
Suski, T et al. (1998)
Wissenschaftlicher Artikel

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